周梦晗设计-法国Leti机构和硅制造代理服务机构CMP宣布推出全球首个采用集成硅片氧化物电阻存储器的多项目晶圆服务-大国重器
周梦晗设计|法国Leti机构和硅制造代理服务机构CMP宣布推出全球首个采用集成硅片氧化物电阻存储器的多项目晶圆服务-大国重器
周梦晗
近日，法国原子能总署（CEA）旗下的电子信息技术研究所（Leti）与提供集成电路和微机电系统（MEMS）原型设计和小批量生产的服务组织CMP宣布，推出集成电路行业首个用于制造新兴非晶体管的多项目晶圆（MPW）工艺，在200mm晶圆衬底平台上制造易失性存储器OxRAM器件。
项目内容
MPW服务采用Leti的200mm CMOS生产线，旨在以低成本的方法实现小型化、高密度元器件的技术。Leti的集成硅存储器平台包括含有颠覆性OxRAM（氧化物电阻RAM）技术的Leti存储器先进演示器（MAD）未来掩模套件，用于后端存储器和非易失性相关的嵌入式设计。新技术平台将基于HfO2 / Ti（钛掺杂氧化铪）活性层。
新兴的OxRAM非易失性存储器是在诸如微控制器或安全产品之类的高级节点以及用于AI加速器和神经形态计算的经典嵌入式存储器应用上实现的有前途的技术之一。
Leti的MAD平台专用于高级非易失性存储器，为材料和接口评估带来了多功能性和稳健性，并允许从技术和设计角度深入探索存储器性能。
平台亮点
130nm节点的200mm STMicroelectronics HCMOS9A晶圆
M1到M4层内所有布线均在ST晶圆上进行
Leti的OxRAM内存模块是在顶部制造的
一级互连（即M5）和焊盘焊接均在在Leti的洁净室中完成
Leti高级存储器实验室负责人Etienne Nowak说：“Leti在过去20年中积累了非易失性存储器（NVM）器件的深厚专业知识，涵盖闪存演进解决方案和颠覆性技术。这种MPW功能与我们的Memory Advanced Demonstrator平台相结合，基于广泛的工具箱，可以与我们的合作伙伴进行定制研究，并提供不同NVM解决方案之间的标准检查程序（benchmark）。”
集成硅OxRAM的MPW服务解决了高级内存开发的所有关键步骤。包括材料工程和分析、开发关键存储器模块、评估存储器单元以及电气测试、建模和创新设计技术等，以符合电路设计约束条件。该技术提供了包括布局、验证和模拟功能在内的设计套件。设计库提供有源和无源电光组件的综合列表。设计套件环境与CMP的所有产品兼容。
项目意义
从Leti处运用非易失性存储器是CMP开发工作的一项重大成就。自2003年以来，该组织即参与了一些国际和欧洲项目，来开发NVM技术（Mag-SPICE，Calomag，Cilomag，Spin和Dipmem）。通过这一新的提议，CMP用户社区可以通过CMP和Leti之间的密切合作而运用该工艺。
CMP总监Jean-ChristopheCrébier说：“CMP拥有长期的经验，可以让小型企业获得先进的制造技术，而且CMP社区对使用这种工艺设计和原型制造集成电路的兴趣非常浓厚。对于法国、欧洲、北美和亚洲的许多大学、初创企业和中小企业来说，这是一个利用这项新技术和MPW服务的机会。”